Sustrato BT de alta densidad y línea fina para paquetes avanzados FC-CSP y WB-BGA

Atributos clave
Nombre de la marca: Jiaqing Circuit
Lugar de origen: Porcelana
Proceso de dar un título: ISO9001
Precio: negotiate
El tiempo de entrega: 15-30 días
Condiciones de pago: LC, D/A, D/P, T/T

Resumen del producto

La línea de productos de sustratos BT IC está diseñada para formatos de encapsulado avanzados que incluyen FC-CSP (Flip Chip Chip Scale Package) y WB-BGA (Wire Bond Ball Grid Array). La resina BT, con su alta temperatura de transición vítrea (180-225 °C), baja absorción de humedad (0.3-0.5%) y ...

Atributos personalizados del producto

Material:
Resina BT (bismaleimida triazina)
Temperatura de transición de vidrio:
180°C – 225°C (DSC)
Grosor del núcleo:
40 – 200 µm
Capacidad de línea/espacio:
10/10 µm a 30/30 µm (SAP/MSAP)
Vía diámetro:
50 – 100 µm
Recuento de capas:
2 – 12 capas
Acabado superficial:
ENIG, ENEPIG, OSP
Descripción del Producto

La línea de productos de sustratos BT IC está diseñada para formatos de encapsulado avanzados que incluyen FC-CSP (Flip Chip Chip Scale Package) y WB-BGA (Wire Bond Ball Grid Array). La resina BT, con su alta temperatura de transición vítrea (180-225 °C), baja absorción de humedad (0.3-0.5%) y capacidad de línea fina (10/10 µm), permite la interconexión de alta densidad para controladores de memoria, módulos de RF y procesadores de aplicaciones móviles. El sustrato redistribuye las protuberancias de chip de paso fino (paso de 40-130 µm) a la matriz de bolas BGA más gruesa (paso de 400-1000 µm) que se interconecta con la PCB principal. Disponibles en configuraciones de 2-12 capas con espesores de núcleo de 40-200 µm, estos sustratos soportan tamaños de encapsulado FC-CSP de 3*3 mm a 19*19 mm con pasos de protuberancia de hasta 0.15 mm.

Aplicaciones Clave
ICs de Lógica y AP Móviles
Los encapsulados FC-CSP sobre sustratos BT ofrecen factores de forma compactos (3*3 mm a 19*19 mm) con paso de protuberancia fino (≥0.15 mm), ideales para dispositivos móviles con restricciones de espacio.
Módulos de RF y Comunicación Inalámbrica
El Dk estable (3.4-4.0) y el bajo Df (0.004-0.010) de BT a 1 GHz proporcionan una integridad de señal fiable para módulos de front-end de RF y transceptores inalámbricos.
Integración de Sistema en Paquete (SiP)
Los módulos multichip se benefician de la estabilidad dimensional y la capacidad de línea fina de BT, lo que permite una interconexión de alta densidad para una integración de sistemas compleja.
Electrónica Automotriz e Industrial
La alta Tg (180-225 °C) y la excelente resistencia a la humedad hacen que los sustratos BT sean adecuados para MCUs de grado automotriz y aplicaciones de control industrial que requieren ciclos de temperatura extendidos.
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