Hochdichte Feinstruktur-BT-IC-Substrat für fortschrittliche FC-CSP- und WB-BGA-Gehäuse

Die BT IC-Substrat-Produktlinie ist für fortschrittliche Paketformate wie FC-CSP (Flip Chip Chip Scale Package) und WB-BGA (Wire Bond Ball Grid Array) entwickelt.mit hoher Glasübergangstemperatur (180-225°C), geringe Feuchtigkeitsabsorption (0,3-0,5%) und Feinlinie (10/10 μm), ermöglicht eine hohe Dichte der Vernetzung für Speichercontroller, HF-Module und mobile Anwendungsprozessoren.Das Substrat verteilt feinschallende Druckschlägen (40-130 μm Schall) auf die grobere BGA-Kugelschicht (400-1000 μm Schall), die sich mit dem Haupt-PCB verbindetDiese Substrate sind in 2-12 Schichtkonfigurationen mit Kerndicken von 40-200 μm erhältlich und unterstützen FC-CSP-Packungsgrößen von 3*3 mm bis 19*19 mm mit Stößen bis 0,15 mm.

Mobilfunk-AP- und Logik-ICs

FC-CSP-Pakete auf BT-Substraten bieten kompakte Formfaktoren (3*3 mm bis 19*19 mm) mit einer feinen Beugung (≥0,15 mm), ideal für platzsparende mobile Geräte.

HF-Module und drahtlose Kommunikation

BTs stabile Dk (3.4-4.0) und niedrige Df (0.004-0.010) bei 1 GHz sorgen für eine zuverlässige Signalintegrität für HF-Front-End-Module und drahtlose Transceiver.

System-in-Package-Integration (SiP)

Multi-Chip-Module profitieren von der Dimensionalstabilität und der Feinleitungsfähigkeit von BT und ermöglichen eine Dichteverbindung für die komplexe Systemintegration.

Automobil- und Industrieelektronik

Hohe Tg (180-225 °C) und eine hervorragende Feuchtigkeitsbeständigkeit machen BT-Substrate für MCUs in der Automobilindustrie und industrielle Steuerungsanwendungen geeignet, die einen längeren Temperaturzyklus erfordern.