Substrato de IC BT sin núcleo de ETS de alta densidad para FC-CSP y SiP ultrafinos

Atributos clave
Nombre de la marca: Jiaqing Circuit
Lugar de origen: Porcelana
Proceso de dar un título: ISO9001
Precio: negotiate
El tiempo de entrega: 15-30 días
Condiciones de pago: LC, D/A, D/P, T/T

Resumen del producto

ETS sin núcleo (Substrato de rastreo incrustado) El sustrato BT IC elimina el grueso núcleo reforzado con tela de vidrio para lograr perfiles ultrafinos (tan delgados como0.13 mmLa tecnología ETS permite la integración del patrón de circuito más externo directamente en el material aislante BT, ...

Atributos personalizados del producto

Material:
Resina BT (bismaleimida triazina)
Temperatura de transición de vidrio:
180°C – 225°C (DSC)
Grosor del núcleo:
40 – 200 µm
Capacidad de línea/espacio:
10/10 µm a 30/30 µm (SAP/MSAP)
Vía diámetro:
50 – 100 µm
Recuento de capas:
2 – 12 capas
Acabado superficial:
ENIG, ENEPIG, OSP
Descripción del Producto

ETS sin núcleo (Substrato de rastreo incrustado) El sustrato BT IC elimina el grueso núcleo reforzado con tela de vidrio para lograr perfiles ultrafinos (tan delgados como0.13 mmLa tecnología ETS permite la integración del patrón de circuito más externo directamente en el material aislante BT, permitiendo una línea/espacio fino hasta12/12 μm(muestra) y12/18 μmLa construcción sin núcleo reduce la altura total del paquete para las aplicaciones FC-CSP (De 3*3 mm a 19*19 mm) con tramos de golpes≥ 0,15 mm. Disponible en2 a 8 capasEstos substratos son ideales para dispositivos móviles ultrafinos, electrónica portátil y módulos SiP de alta densidad donde el grosor y la curvatura son restricciones críticas.

Aplicaciones y ventajas clave por categoría
Dispositivos móviles ultrafinos

Construcción sin núcleo (tan delgada como0.13 mm) permite que los teléfonos inteligentes, tabletas y dispositivos portátiles sean más delgados sin sacrificar la densidad de interconexión.

Electrónica portátil

El perfil ultra delgado y la curvatura reducida hacen que los sustratos ETS BT sean ideales para relojes inteligentes, audífonos y dispositivos de monitoreo de salud.

Los módulos SiP (sistema integrado)

La tecnología sin núcleo admite la integración de múltiples chips en factores de forma compactos, esenciales para módulos de front-end de RF y centros de sensores.

FC-CSP de alta densidad

Línea fina/espacio (12/18 μm) y la inclinación de los golpes≥ 0,15 mmpermitir un alto recuento de entradas/salidas en envases compactos (De 3*3 mm a 19*19 mm)).

Aplicaciones sensibles a las curvas

La estructura sin núcleo reduce significativamente la curvatura del paquete en comparación con los sustratos convencionales, lo que es crítico para los conjuntos de flip-chip de gran tamaño y la optimización del rendimiento del ensamblaje.

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