BT (Bismaleimidtriazin)-Harzsubstrate, ursprünglich von Mitsubishi Gas Chemical entwickelt, stellen das dominierende Substratmaterial für die Verpackung von Halbleiter-ICs dar. Über 70 % der organischen IC-Package-Substrate verwenden BT-basierte Laminatsysteme. Dieses Hochleistungs-Duroplast-Polymer ...
BT (Bismaleimidtriazin)-Harzsubstrate, ursprünglich von Mitsubishi Gas Chemical entwickelt, stellen das dominierende Substratmaterial für die Verpackung von Halbleiter-ICs dar. Über 70 % der organischen IC-Package-Substrate verwenden BT-basierte Laminatsysteme. Dieses Hochleistungs-Duroplast-Polymer kombiniert eine hohe Glasübergangstemperatur (Tg) von 185-225 °C mit extrem geringer Feuchtigkeitsaufnahme (0,3-0,5 %) und einer niedrigen Dielektrizitätskonstante (Dk 3,4-4,0 @ 1 GHz), was eine zuverlässige Signalweiterleitung zwischen Silizium-Die und PCB über mehrere Reflow-Zyklen hinweg ermöglicht. Erhältlich in Lagenzahlen von 2 bis 12 Lagen mit Kerndicken von 40-200 µm und Leiterbahn-/Zwischenraumfähigkeiten bis zu 10/10 µm über SAP (Semi-Additive Process), bieten BT-Substrate die Dimensionsstabilität, thermische Beständigkeit und Feinstleiterstrukturierung, die für Speicherchips, mobile Anwendungsprozessoren (AP) und RF-Komponenten erforderlich sind.
Verpackung von Speicherchips (DDR, NAND, eMMC)
BT-Substrate bieten den stabilen organischen Träger mit überlegenem Wärme-, Feuchtigkeits- und Dimensionsverhalten, das für die Feinstraster-Package-Leiterführung, Drahtbonden, Reflow-Belastung und Package-Zuverlässigkeit erforderlich ist. Die Dimensionsstabilität verhindert, dass thermische Ausdehnung und Kontraktion die Schaltungsausbeute beeinträchtigen.
Mobile Anwendungsprozessoren (AP)
Weit verbreitet in der Verpackung von Smartphone-APs, wo die hohe Tg (185-225 °C) mehrere Reflow-Zyklen während der Package-Montage übersteht. Über 70 % der IC-Substrate verwenden BT-Materialien.
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