High Reliability Automotive Grade BT IC Substrat für MCU- und Sensoranwendungen

Wesentliche Eigenschaften

Markenname: Jiaqing Circuit

Herkunftsort: China

Zertifizierung: ISO9001

Preis: negotiate

Lieferzeit: 15-30 Tage

Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T

Produktübersicht

BT-IC-Substrate ist für die Automobilelektronik konzipiert, die AEC-Q100 Grade 2-Kompatibilität und eine erhöhte Zuverlässigkeit bei Temperaturschwankungen erfordert. Die hohe Glasübergangstemperatur (180-225 °C), der niedrige CTE (12-16 ppm/°C) und die extrem geringe Feuchtigkeitsaufnahme (0,3-0,5 ...

Produktanpassungsattribute

Material:

BT-Harz (Bismaleimidtriazin).

Glasübergangstemperatur:

180°C – 225°C (DSC)

Kerndicke:

40 – 200 μm

Zeilen-/Leerzeichenfähigkeit:

10/10 μm bis 30/30 μm (SAP/MSAP)

Über Durchmesser:

50 – 100 μm

Anzahl der Ebenen:

2 – 12 Schichten

Oberflächenbeschaffenheit:

ENIG, ENEPIG, OSP

Produktbeschreibung

BT-IC-Substrate ist für die Automobilelektronik konzipiert, die AEC-Q100 Grade 2-Kompatibilität und eine erhöhte Zuverlässigkeit bei Temperaturschwankungen erfordert. Die hohe Glasübergangstemperatur (180-225 °C), der niedrige CTE (12-16 ppm/°C) und die extrem geringe Feuchtigkeitsaufnahme (0,3-0,5 %) des BT-Harzes bieten die thermische und mechanische Stabilität, die von Steuergeräten unter der Motorhaube, Radarsystemen und Umgebungen mit hohen Temperaturen gefordert wird. Erhältlich in 2-12-lagigen Konfigurationen mit Leiterbahnbreiten/Abständen bis zu 10/10 µm und ENIG/ENEPIG-Oberflächenveredelungen, unterstützen diese Substrate Wire-Bond-BGA-Gehäuse (15*15 mm bis 45*45 mm, 119-1520 Bälle) und FC-CSP-Gehäuse für Automotive-MCUs, Radar-Transceiver und Sensor-Fusionsmodule.

Anwendungen & Hauptvorteile nach Kategorie

Automotive MCUs & ECUs: Hohe Tg (180-225 °C) und geringe Feuchtigkeitsaufnahme gewährleisten einen zuverlässigen Betrieb in Umgebungen unter der Motorhaube mit erweiterten Temperaturschwankungen (-40 °C bis +125 °C).
Automotive Radar & ADAS: Stabile dielektrische Eigenschaften (Dk 3,4-4,0, Df 0,004-0,010) unterstützen 77-GHz-Radar-Transceiver und ADAS-Sensor-Fusionsmodule.
Power Management ICs (PMIC): Ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit (0,35 W/m·K) und hohe Zersetzungstemperatur (≥325 °C) unterstützen Hochstrom-Automotive-Power-Management-Anwendungen.
Drahtlose Konnektivität (V2X, Bluetooth): BT-Substrate unterstützen Automotive-Grade-Wireless-MCU-Gehäuse (z. B. 7*7 mm VQFN48) mit lötbaren Flanken für eine zuverlässige Lötstelleninspektion.

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